Semiconductor-insulator transition in a YbB6 nanowire with boron vacancy
Semiconductor-insulator transition in a YbB6 nanowire with boron vacancy
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具有硼空位的 YbB6 纳米线中的半导体-绝缘体转变
DOI：
10.1016/j.jssc.2018.03.029
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发表时间：
2018-06
影响因子：
3.3
通讯作者：
Zhao Yanming
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Han Wei;Wang Zhen;Li Qidong;Lian Xin;Liu Xudong;Fan Qinghua;Zhao Yanming
本文报道了用低温固相法（200-240 °C）生长的六硼化镱（YbB 6）纳米线的输运和磁性的研究。电阻率随温度的变化表明，YbB 6纳米线在20 K以下发生了半导体-绝缘体转变（SIT），转变激活能Δ E为1 meV. 2 K时的ρ值达到300 K时ρ值的49倍（ρ2 K/ρ300 K= 49）。所观察到的非饱和磁电阻（MR）与B2呈线性关系。通过X射线光电子能谱（XPS）和顺磁磁化强度的分析，可以解释YbB 6纳米线中的反常电子输运是由于Yb离子的混合价态引起的。
In this paper, we report the study of transport and magnetic properties of ytterbium hexaboride (YbB6) nanowires grown by a low trigger-temperature (200–240 °C) solid state method. The temperature dependence of resistivity shows that the YbB6nanowire undergoes a semiconductor-insulator transition (SIT) below 20 K with an activation energy ΔEof 1 meV. The value ofρat 2 K reaches 49 times the value of ρ at 300 K (ρ2 K/ρ300 K= 49). The observed non-saturating magnetoresistance (MR) has a linear relationship withB2. The anomalous electronic transport in the YbB6nanowire can be explained by the mixed valence of Yb ions due to the boron deficiency supporting by the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and paramagnetic magnetization.
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--
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--
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Lu Li
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N. Ogita;S. Nagai;N. Okamoto;M. Udagawa;F. Iga;M. Sera;J. Akimitsu;S. Kunii
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