Analysis of Microstructures in SiGe Buffer Layers on sSilicon-on-Insulator Substrates

Analysis of Microstructures in SiGe Buffer Layers on sSilicon-on-Insulator Substrates
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绝缘体上硅衬底上 SiGe 缓冲层的微观结构分析

DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics 44(10)
影响因子：
--
通讯作者：
S.Takagi
S.Takagi
中科院分区：
--
文献类型：
--
作者：
N.Taoka;A.Sakai;S.Mochizuki;O.Nakatsuka;M.Ogawa;S.Zaima;T.Tezuka;N.Sugiyama;S.Takagi

文献摘要

参考文献

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DOI： --
发表时间： 2005
期刊： Materials Science in Semiconductor Processing 8 (1-3)
影响因子： --
作者：
N.Taoka;A.Sakai;T.Egawa;O.Nakatsuka;S.Zaima;Y.Yasuda
通讯作者： Y.Yasuda