Growth and characterization of strain-relaxed SiGe buffer layers on Si(001) substrates with pure-edge misfit dislocations
Growth and characterization of strain-relaxed SiGe buffer layers on Si(001) substrates with pure-edge misfit dislocations
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具有纯边缘失配位错的 Si(001) 衬底上应变弛豫 SiGe 缓冲层的生长和表征
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Y.Yasuda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N.Taoka;A.Sakai;T.Egawa;O.Nakatsuka;S.Zaima;Y.Yasuda
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