Selective area growth and epitaxial lateral overgrowth of GaN by metalorganic vapor phase epitaxy and hydride vapor phase epitaxy
Selective area growth and epitaxial lateral overgrowth of GaN by metalorganic vapor phase epitaxy and hydride vapor phase epitaxy
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通过金属有机气相外延和氢化物气相外延进行 GaN 的选择性区域生长和外延横向过生长
DOI：
10.1016/s0921-5107(98)00339-0
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发表时间：
1999
影响因子：
3.6
通讯作者：
N. Sawaki
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. Hiramatsu;H. Matsushima;T. Shibata;Yasutoshi Kawagachi;N. Sawaki
影响因子：
4
作者：
NAKAMURA, S;MUKAI, T;SENOH, M
通讯作者：
SENOH, M