Ti-site Substitution Using the Higher-valent Cation for Enhancing the Ferroelectric Properties of Nd3+−substituted Bismuth Titanate Thin Films

Ti-site Substitution Using the Higher-valent Cation for Enhancing the Ferroelectric Properties of Nd3+−substituted Bismuth Titanate Thin Films
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使用高价阳离子进行 Ti 位取代以增强 Nd3+ 取代钛酸铋薄膜的铁电性能

DOI：
10.1557/proc-784-c11.8
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发表时间：
2003
期刊：
MRS Proceedings
影响因子：
--
通讯作者：
H. Funakubo
H. Funakubo
中科院分区：
--
文献类型：
--
作者：
H. Uchida;S. Koda;H. Matsuda;T. Iijima;Takayuki Watanabe;H. Funakubo

文献摘要

参考文献

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使用具有更高电荷价的离子进行 Ti 位取代来增强 BIT 基薄膜的剩余极化
DOI： --
发表时间： 2003
期刊： Proc.Mater.Res.Soc. 748
影响因子： --
作者：
H.Uchida;I.Okada;H.Matsuda;T.Iijima;T.Watanabe;H.Funakubo
通讯作者： H.Funakubo