Effects of Oxygen Vacancy on Optical and Electrical Properties of ZnO Bulks and Nanowires
Effects of Oxygen Vacancy on Optical and Electrical Properties of ZnO Bulks and Nanowires
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DOI：
10.1088/0256-307x/31/11/117301
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发表时间：
2014-11
影响因子：
3.5
通讯作者：
曹茂盛
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
ZHENG HM;FANG XY;JIN HB;曹茂盛
基于密度泛函理论（DFT）中的广义梯度近似（GGA），采用第一性原理平面波超软赝势方法，在Castep模型中构造并优化了本征ZnO和氧空位ZnO块材和纳米线的结构.此外，还计算了它们的能带结构和光学性质。计算结果表明，氧空位对ZnO体的电子结构的影响比对纳米线的影响更为显著。此外，VO对ZnO纳米线光学性质的影响主要体现在紫外区，VO掺杂ZnO纳米线和ZnO块材的主要光学参数具有各向异性。
Based on the generalized gradient approximation (GGA) in density functional theory (DFT) and using the first-principle plane wave ultrasoft pseudopotential method, we construct and optimize the structures of intrinsic and oxygen vacancy (VO) ZnO bulks and nanowires (NWs) in the Castep module. Moreover, the calculation of band structures and the optical properties are carried out. The calculated results exhibit that the oxygen vacancy exerts a more significant influence on the electronic structures of the ZnO bulks instead of the NWs. What is more, the influences of the VO on the optical properties are mainly embodied in the ultraviolet region, and the main optical parameters of ZnO bulks and NWs with VO are anisotropic.
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