30 GHz heterogeneously integrated capacitive InP-on-Si Mach-Zehnder modulators.
30 GHz heterogeneously integrated capacitive InP-on-Si Mach-Zehnder modulators.
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30 GHz 异构集成电容式 InP-on-Si Mach-Zehnder 调制器。
作者：
T. Thiessen;P. Grosse;J. D. Fonseca;P. Billondeau;B. Szelag;C. Jany;J. Poon;S. Menezo
我们展示了具有硅基磷化铟 (InP-on-Si) 电容式移相器的高带宽 O 波段马赫-曾德尔调制器，该调制器与异构激光制造工艺兼容。在 0 V 偏置下，对于长度为 250 μm 的相位调制器，观察到电光转换效率为 1.3 V·cm 以及高达 30 GHz 的 3 dB 带宽。在高达 25 Gb/s 的速度下观察到睁眼模式。
We demonstrate high-bandwidth O-band Mach-Zehnder modulators with indium phosphide-on-silicon (InP-on-Si) capacitive phase shifters that are compatible with heterogeneous laser fabrication processes. An electro-optic conversion efficiency of 1.3 V⋅cm and a 3 dB bandwidth of up to 30 GHz was observed for a phase modulator length of 250 μm at a 0 V bias. Open eye patterns were observed at up to 25 Gb/s.
影响因子：
10.4
作者：
Kieninger, Clemens;Kutuvantavida, Yasar;Koos, Christian
通讯作者：
Koos, Christian
影响因子：
19.4
作者：
Koeber, Sebastian;Palmer, Robert;Koos, Christian
通讯作者：
Koos, Christian