Terahertz integrated device: high-Q silicon dielectric resonators
Terahertz integrated device: high-Q silicon dielectric resonators
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太赫兹集成器件：高Q值硅介质谐振器
DOI：
10.1364/ome.8.000050
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发表时间：
2018
影响因子：
2.8
通讯作者：
QINGQING CHENG
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
JINGYA XIE;XI ZHU;XIAOFEI ZANG;QINGQING CHENG
我们在硅平台上设计、制作了太赫兹集成谐振器，并对其进行了表征。基于模式分析和选择，利用波导耦合单模跑道环和圆盘腔的回音壁模式，实现了低损耗高阻硅材料谐振腔的高Q特性。实验结果表明，在218.345 GHz处，该谐振腔的Q值可达2839，与传统的太赫兹谐振腔相比有了显著的提高。这些高Q值集成谐振器可用作片上太赫兹超灵敏传感器和太赫兹功能集成电路。
We design, fabricate, and characterize the terahertz integrated resonators on the silicon platform. Based on mode analysis and selection, the high-Q feature of resonators made of low-loss high-resistivity Si material is achieved due to the excitation of the whispering gallery mode on waveguide-coupled single-mode racetrack rings and disk cavities. The experimental results demonstrate that the Q-factor can reach up to 2839 at 218.345 GHz, which is significantly improved compared with conventional THz cavities. These high Q-factor integrated resonators can be used as on-chip terahertz ultrasensitive sensors and as terahertz functional integrated circuits.
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P. Tien
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DOI：
10.1109/tthz.2015.2397279
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