Temperature dependence of multi-jump magnetic switching process in epitaxial Fe/MgO (001) films
Temperature dependence of multi-jump magnetic switching process in epitaxial Fe/MgO (001) films
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外延 Fe/MgO (001) 薄膜中多跳磁开关过程的温度依赖性
DOI：
10.1088/1674-1056/24/7/077502
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发表时间：
2015-05
影响因子：
1.7
通讯作者：
Cheng Zhao-Hua
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hu Bo;He Wei;Ye Jun;Tang Jin;Zhang Yong-Sheng;Ahmad Syed Sheraz;Zhang Xiang-Qun;Cheng Zhao-Hua
通过磁阻测量研究了 Fe/MgO (001) 薄膜中多次跳跃的磁切换过程的温度依赖性。当温度从300 K降低到80 K时，测量到的三跳磁滞回线变成了二跳回线。四倍面内磁各向异性常数 K1、畴壁钉扎能和附加的单轴磁各向异性常数 KU 的温度依赖性是造成这种转变的原因。 K1 和磁畴壁钉扎能的强度随着温度的降低而增加，但 KU 保持不变。此外，引入具有两个连续或两个独立的90°畴壁传播的磁化反转机制来解释不同温度下外延Fe/MgO(001)薄膜的多跳磁切换过程。
Temperature dependence of magnetic switching processes with multiple jumps in Fe/MgO (001) films is investigated by magnetoresistance measurements. When the temperature decreases from 300 K to 80 K, the measured three-jump hysteresis loops turn into two-jump loops. The temperature dependence of the fourfold in-plane magnetic anisotropy constant K1, domain wall pinning energy, and an additional uniaxial magnetic anisotropy constant KU are responsible for this transformation. The strengths of K1 and domain wall pinning energy increase with decreasing temperature, but KU remains unchanged. Moreover, magnetization reversal mechanisms, with either two successive or two separate 90° domain wall propagation, are introduced to explain the multi-jump magnetic switching process in epitaxial Fe/MgO(001) films at different temperatures.
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Yizheng Wu;C. Won;Z. Qiu
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M. Caminale;R. Moroni;P. Torelli;W. C. Lin;M. Canepa;L. Mattera;F. Bisio
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Yujin Jeong;Hakjoon Lee;Sangyeop Lee;T. Yoo;Sang Hoon Lee;X. Liu;J. Furdyna
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Yujin Jeong;Hakjoon Lee;Sangyeop Lee;T. Yoo;Sang Hoon Lee;X. Liu;J. Furdyna
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Qiu, Z. Q.