Structural and optical properties of Si-doped AIGaN/AIN multiple quantum wells grown by MOVPE
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MOVPE 生长的硅掺杂 AIGaN/AlN 多量子阱的结构和光学性质
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Shibata
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Li;T. Katsuno;M. Aoki;H. Miyake;K. Hiramatsu;T. Shibata
氮化物多量子阱激发强度相关光致发光光谱蓝移机制
影响因子：
3.6
作者：
Zhen Chen;Da;Xiaohui Wang;Xianglin Liu;Hairong Yuan;P. Han;D. Wang;Zhan;Guo
通讯作者：
Guo
影响因子：
3.2
作者：
Lebedev, V;Morales, FM;Ambacher, O
通讯作者：
Ambacher, O