Optical Absorption Edge of Ternary Semiconducting Silicide Ba_<1-x>Sr_xSi_2
Optical Absorption Edge of Ternary Semiconducting Silicide Ba_<1-x>Sr_xSi_2
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三元半导体硅化物Ba_<1-x>Sr_xSi_2的光吸收边
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Kobayashi and T. Suemasu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Morita;M. Kobayashi and T. Suemasu
影响因子：
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作者：
J. Evers;G. Oehlinger;A. Weiss
通讯作者：
A. Weiss
Si(100)上硅化钡的结构和电子性质
影响因子：
1.5
作者：
K. Ojima;M. Yoshimura;K. Ueda
通讯作者：
K. Ueda