Strain and magnetic anisotropy of as-grown and annealed Fe films on c(4x4) reconstructed GaAs (001) surface
Strain and magnetic anisotropy of as-grown and annealed Fe films on c(4x4) reconstructed GaAs (001) surface
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c(4x4) 重建 GaAs (001) 表面上生长和退火 Fe 薄膜的应变和磁各向异性
DOI：
10.1063/1.3159642
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发表时间：
2009-07
影响因子：
3.2
通讯作者：
Jia, Q. J.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Lu, J.;Meng, H. J.;Deng, J. J.;Xu, P. F.;Chen, L.;Zhao, J. H.;Jia, Q. J.
采用分子束外延的方法在c（4x4）重构的GaAs（001）表面低温生长出不同厚度的Fe薄膜。通过x射线衍射图和高分辨率截面透射电镜图像证实了有序的bcc结构铁外延膜。在Fe薄膜中观察到垂直于表面的大晶格膨胀。面内磁各向异性由沿[110]和[110]方向的磁化能之差决定，计算界面磁各向异性常数为1.02x10(-4) J m（-2）。我们还发现原位退火对磁各向异性没有明显影响，但面内应变完全改变。
Fe films with the different thicknesses were grown on c(4x4) reconstructed GaAs (001) surfaces at low temperature by molecular-beam epitaxy. Well-ordered bcc structural Fe epitaxial films are confirmed by x-ray diffraction patterns and high-resolution cross-sectional transmission electron microscopy images. A large lattice expansion perpendicular to the surface in Fe film is observed. In-plane uniaxial magnetic anisotropy is determined by the difference between magnetizing energy along [110] and [110] directions, and the constant of interfacial uniaxial magnetic anisotropy is calculated to be 1.02x10(-4) J m(-2). We also find that magnetic anisotropy is not obviously influenced after in situ annealing, but in-plane strain is completely changed.
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E. Sjöstedt;L. Nordström;F. Gustavsson;O. Eriksson
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E. Kneedler;P. Thibado;B. Jonker;B. R. Bennett;B. V. Shanabrook;R. Wagner;L. Whitman
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Bland, JAC
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R. Moosbühler;F. Bensch;M. Dumm;G. Bayreuther
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F. Bensch;G. Garreau;R. Moosbühler;G. Bayreuther;E. Beaurepaire