A comparative study on conducted noise characteristics of SiC and GaN power transistor
A comparative study on conducted noise characteristics of SiC and GaN power transistor
复制标题
SiC与GaN功率晶体管传导噪声特性对比研究
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Tsuyoshi Funaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takaaki Ibuchi;Tsuyoshi Funaki
采用 SiC 肖特基势垒二极管的 CCM 升压转换器的传导发射特性
DOI：
10.1109/isemc.2015.7256305
发表时间：
2015
期刊：
2015 IEEE International Symposium on Electromagnetic Compatibility (EMC)
影响因子：
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作者：
T. Ibuchi;T. Funaki
通讯作者：
T. Funaki
不同类型二极管的传导发射的时间和频率混合域分析
DOI：
10.1587/comex.4.136
发表时间：
2015
期刊：
Fungal genetics and biology : FG & B
影响因子：
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作者：
T. Ibuchi;T. Funaki
通讯作者：
T. Funaki