Formation of Silicon Protrusions via Surface Melting and Solidification Under Applied Tensile Stress
Formation of Silicon Protrusions via Surface Melting and Solidification Under Applied Tensile Stress
复制标题
在施加拉应力下通过表面熔化和凝固形成硅突起
DOI：
--
复制
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T.Nishimura
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
斉藤大志;柏木行康;玉井聡行;T.Nishimura
登录
查看更多内容
Si(111) 和 Si(001) 表面熔化和金属化的深度分析。
影响因子：
8.6
作者：
R. Gunnella;M. Ali;M. Abbas;Francesco D’Amico;E. Principi;A. Cicco
通讯作者：
A. Cicco
各向同性外拉应力下Si(111)-(7×7)的表面形貌
DOI：
10.1116/1.579737
发表时间：
1995
期刊：
Journal of Vacuum Science and Technology
影响因子：
--
作者：
Y. Wei;Lian Li;I. Tsong
通讯作者：
I. Tsong
铜预覆盖的 Si(1 1 1) 表面上 Ag 的电迁移和相变
影响因子：
1.9
作者：
Fangxiao Shi;I. Shiraki;T. Nagao;S. Hasegawa
通讯作者：
S. Hasegawa
Au 预覆盖的 Si(111) 表面上 Ag 电迁移的基底结构依赖性
影响因子：
1.5
作者：
Fangxiao Shi;I. Shiraki;T. Nagao;S. Hasegawa
通讯作者：
S. Hasegawa
Ge(111) 上的 Si(111) 应变层：c (2 ×4 ) 域的证据
影响因子：
3.7
作者：
R. Zhachuk;J. Coutinho;A. Dolbak;V. Cherepanov;B. Voigtlander
通讯作者：
B. Voigtlander