Recent Progress in Ferroelectric Diodes: Explorations in Switchable Diode Effect
Recent Progress in Ferroelectric Diodes: Explorations in Switchable Diode Effect
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铁电二极管最新进展：可开关二极管效应的探索
DOI：
10.1007/bf03353733
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发表时间：
2013-04
影响因子：
26.6
通讯作者：
Yang, Guo-zhen
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang, Can;Jin, Kui-juan;Lu, Hui-bin;Yang, Guo-zhen
铁电二极管中的开关二极管效应因其在新型非易失性存储器中的潜在应用而受到广泛关注。本文简要回顾了铁电二极管中开关二极管效应的实验和理论研究进展。最近的研究表明，金属-铁电体之间的界面势垒可以被极化电荷调制，而铁电体的极化可以被外电场反转，这在开关二极管效应中起着主导作用。此外，我们回顾了一个自洽的数值模型，它可以很好地描述开关二极管在铁电二极管的效果。基于此模型，可以预测，在铁电二极管中选择介电常数较小的金属（如贵金属）是获得更显著的开关二极管效应的较好选择。
Switchable diode effect in ferroelectric diodes has attracted much attention for its potential applications in novel nonvolatile memories. We briefly review recent investigations on the switchable diode effect in ferroelectric diodes both experimentally and theoretically. Many recent studies demonstrate that the interfacial barrier between the metal-ferroelectrics could be modulated by the polarization charges, and the ferroelectric polarization that can be reversed by an external electric field plays a dominant role in the switchable diode effect. Moreover, we review a self-consistent numerical model, which can well describe the switchable diode effect in ferroelectric diodes. Based on this model, it can be predicted that it is a better choice to select metals with a smaller permittivity, such as noble metals, to obtain a more pronounced switchable diode effect in ferroelectric diodes.
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影响因子：
64.8
作者：
Li, J;Papadopoulos, C;Xu, J
通讯作者：
Xu, J
DOI：
10.4028/www.scientific.net/amr.97-101.19
发表时间：
2010-03
期刊：
Advanced Materials Research
影响因子：
--
作者：
Y. Wu;Wen-Ku Chang;M. Jou
通讯作者：
Y. Wu;Wen-Ku Chang;M. Jou
DOI：
10.1016/1010-6030(89)80024-3
发表时间：
1989-11
影响因子：
4.3
作者：
T. Sehili;P. Boule;J. Lemaire
通讯作者：
T. Sehili;P. Boule;J. Lemaire
间歇沉积和界面形成对NiFe/Cu复合丝微观结构和磁性能的影响
影响因子：
2.8
作者：
通讯作者：
--
影响因子：
4
作者：
Ipatov, M.;Zhukova, V.;Gonzalez, J.
通讯作者：
Gonzalez, J.