Vth Self-Adjusting Tri-Gate Nanowire MOSFET for Stability Improvement of SRAM Cell Operating at 0.1 V
Vth Self-Adjusting Tri-Gate Nanowire MOSFET for Stability Improvement of SRAM Cell Operating at 0.1 V
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Vth 自调节三栅极纳米线 MOSFET，可提高在 0.1V 电压下运行的 SRAM 单元的稳定性
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Seung-Min Jung
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Seung-Min Jung
使用器件矩阵阵列直接测量 SRAM 噪声容限与单个单元晶体管变异性之间的相关性
影响因子：
3.1
作者：
Toshiro Hiramoto;Makoto Suzuki;Xiaowei Song;Ken Shimizu;T. Saraya;A. Nishida;T. Tsunomura;Shiro Kamohara;Kiyoshi Takeuchi;Tohru Mogami
通讯作者：
Tohru Mogami