Hydrogen reduction in GaAsN thin films by flow-rate modulated epitaxy
Hydrogen reduction in GaAsN thin films by flow-rate modulated epitaxy
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通过流量调制外延在 GaAsN 薄膜中进行氢还原
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Saito
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Suzuki;K. Nishimura;H. S. Lee;Y. Ohshita;and M. Yamaguchi;K.Saito
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DOI：
10.1143/jjap.35.1273
发表时间：
1996-02-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS
影响因子：
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作者：
Kondow, M;Uomi, K;Yazawa, Y
通讯作者：
Yazawa, Y
描述 a-SiN:H 合金电学行为的模型
DOI：
10.1063/1.337318
发表时间：
1986
期刊：
影响因子：
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作者：
J. Osenbach;W. Knolle
通讯作者：
W. Knolle
NF3 与二甲肼作为 GaAsN 氮源的评估
影响因子：
1.8
作者：
S. Kurtz;R. Reedy;B. Keyes;G. Barber;J. Geisz;D. Friedman;W. McMahon;J. Olson
通讯作者：
J. Olson
GaAs1−xNx 合金中氮、氢和镓空位之间的相互作用
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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作者：
A. Janotti;S. Wei;Shengbai Zhang;S. Kurtz;C. Walle
通讯作者：
C. Walle