Corner effects on phonon-limited mobility in rectangular silicon nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistors based on spatially resolved mobility analysis
Corner effects on phonon-limited mobility in rectangular silicon nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistors based on spatially resolved mobility analysis
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基于空间分辨迁移率分析的矩形硅纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管中声子限制迁移率的角效应
DOI：
10.1063/1.3592252
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发表时间：
2011
影响因子：
3.2
通讯作者：
H.Iwai
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y.Lee;K.Kakushima;K.Natori;H.Iwai
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通讯作者：
M. Luisier