Performance enhancement of semiconductor devices by control of discrete dopant distribution
Performance enhancement of semiconductor devices by control of discrete dopant distribution
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通过控制离散掺杂剂分布来增强半导体器件的性能
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
I.Ohdomari
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Hori;T.Shinada;K.Taira;N.Shimamoto;T.Endoh;I.Ohdomari
使用 3D MC 模拟离散杂质对超短 MOSFET 中电子传输的影响
影响因子：
3.1
作者：
P. Dollfus;A. Bournel;S. Galdin;Sylvain Barraud;P. Hesto
通讯作者：
P. Hesto