Actinic mask metrology for extreme ultraviolet lithography
Actinic mask metrology for extreme ultraviolet lithography
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用于极紫外光刻的光化掩模计量
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Watanabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Kinoshita;T.Haga;K.Hamamoto;S.Takada;N.Kazui;S.Kakunai;H.Tsubakino;T.Shoki;M.Endo;T.Watanabe
EUV光刻中CA抗蚀剂的特性
影响因子：
0.8
作者：
K. Hamamoto;Takeo Watanabe;H. Hada;H. Komano;H. Kinoshita
通讯作者：
H. Kinoshita
使用 Mirau 干涉显微镜进行波长极紫外光刻掩模检查
影响因子：
1.4
作者：
T. Haga;H. Takenaka;M. Fukuda
通讯作者：
M. Fukuda