Ultrafast dephasing of interband transitions in semiconductors
Ultrafast dephasing of interband transitions in semiconductors
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半导体带间跃迁的超快相移
DOI：
10.1007/bf02877023
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发表时间：
2001-10
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Wei -Zhulin
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hai-Chao Zhang;Wei -Zhulin
在体半导体连续跃迁的超快偏振退相理论中，提出了两种基本的退相机制：载流子-载流子和载流子-声子散射，包括空穴-空穴和空穴-声子散射。光学声子散射对退相速率的贡献是电子和空穴散射速率的平均值。一个加权因子，反映了在碰撞中的粒子的动量的变化被引入到通常的载流子-载流子散射率的积分来描述静态屏蔽相互作用的情况下，载流子-载流子散射的退相率的贡献。理论计算与实验结果定量吻合。
Two basic types of dephasing mechanisms, carrier-carrier and carrier-phonon scattering including hole-hole and hole-phonon scattering are proposed in the theory of ultrafast polarization dephasing of continuum transitions in bulk semiconductors. The contribution of optical phonon scattering to the dephasing rate is the average of the scattering rates for electrons and holes. A weighting factor that reflects the change in the momentum of the particle in a collision is introduced into the usual integral of the carrier-carrier scattering rate to describe the contribution of carrier-carrier scattering to the dephasing rate for the case of static screening interaction. The theoretical calculations are in quantitative agreement with the reported experimental results.
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影响因子：
8.6
作者：
Scott;Binder;Koch
通讯作者：
Scott;Binder;Koch
DOI：
10.1103/physrevb.42.5685
发表时间：
1990-09
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
--
作者：
R. Joshi;R. Grondin;D. Ferry
通讯作者：
R. Joshi;R. Grondin;D. Ferry
影响因子：
3.7
作者：
COLLET, JH
通讯作者：
COLLET, JH
影响因子：
3.7
作者：
S. Arlt;U. Siegner;J. Kunde;F. Morier-Genoud;U. Keller
通讯作者：
S. Arlt;U. Siegner;J. Kunde;F. Morier-Genoud;U. Keller
DOI：
10.1103/physrevb.47.13233
发表时间：
1993-05
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
--
作者：
Hohenester;Supancic;Kocevar;Zhou;Kütt;Kurz
通讯作者：
Hohenester;Supancic;Kocevar;Zhou;Kütt;Kurz