T-shaped GaAs quantum-wire lasers and the exciton Mott transition
T-shaped GaAs quantum-wire lasers and the exciton Mott transition
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T 形砷化镓量子线激光器和激子莫特跃迁
DOI：
10.1088/0953-8984/19/29/295217
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K. West
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Yoshita;Shuman Liu;M. Okano;Y. Hayamizu;H. Akiyama;L. Pfeiffer;K. West
为了研究洁净一维 (1D) 系统中的激光器件物理和基础多体物理，测量了通过切边过度生长方法制造的 T 形 GaAs 量子线 (T-wire) 激光器，并通过生长中断高温退火改进界面上的分子束外延。电流注入 T 线激光器的有源区有 20 个 T 线周期，腔体长 0.5 mm，具有高反射涂层，在 30 K 时显示出 0.27 mA 的低阈值电流。通过光泵浦，使用高质量 T 线激光器研究了高于激光阈值的激光增益的来源。激光能量比自由激子的光致发光 (PL) 峰值低约 5 meV，并且处于高 e-h 载流子密度下的电子-空穴 (e-h) 等离子体 PL 带上。观察到的能量变化排除了自由激子引起的激光增益，这表明 e-h 等离子体的贡献。系统的微 PL 研究表明，PL 随着 e-h 密度的变化而变化，从尖锐的激子峰，经过双激子峰，到 e-h 等离子体 PL 带。数据证明了双激子在激子莫特跃迁中的重要作用。与微观理论的比较指出了激子莫特跃迁图像中的一些问题。
T-shaped GaAs quantum-wire (T-wire) lasers fabricated by the cleaved-edge overgrowth method with molecular beam epitaxy on the interface improved by a growth-interrupt high-temperature anneal are measured to study the laser device physics and fundamental many-body physics in clean one-dimensional (1D) systems. A current-injection T-wire laser that has 20 periods of T-wires in the active region and a 0.5 mm long cavity with high-reflection coatings shows a low threshold current of 0.27 mA at 30 K. The origin of the laser gain above the lasing threshold is studied with the high-quality T-wire lasers by means of optical pumping. The lasing energy is about 5 meV below the photoluminescence (PL) peak of free excitons, and is on the electron–hole (e–h) plasma PL band at a high e–h carrier density. The observed energy shift excludes the laser gain due to free excitons, and it suggests a contribution from the e–h plasma instead. A systematic micro-PL study reveals that the PL evolves with the e–h density from a sharp exciton peak, via a biexciton peak, to an e–h-plasma PL band. The data demonstrate an important role of biexcitons in the exciton Mott transition. Comparison with microscopic theories points out some problems in the picture of the exciton Mott transition.
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影响因子：
4
作者：
H. Akiyama;L. Pfeiffer;M. Yoshita;A. Pinczuk;K. West
通讯作者：
H. Akiyama;L. Pfeiffer;M. Yoshita;A. Pinczuk;K. West
影响因子：
4
作者：
M. Yoshita;H. Akiyama;L. Pfeiffer;K. West
通讯作者：
M. Yoshita;H. Akiyama;L. Pfeiffer;K. West
控制 MBE 表面阶跃边缘动力学以制造原子级光滑的量子阱
DOI：
--
发表时间：
2003
期刊：
J.Cryst.Growth. 251
影响因子：
--
作者：
M.Yoshita;J.W.Oh;H.Akiyama;L.N.Pfeiffer;K.W.West
通讯作者：
K.W.West
影响因子：
4
作者：
Y. Hayamizu;M. Yoshita;S. Watanabe;H. Akiyama;L. Pfeiffer;K. West
通讯作者：
Y. Hayamizu;M. Yoshita;S. Watanabe;H. Akiyama;L. Pfeiffer;K. West
影响因子：
4
作者：
ARAKAWA, Y;SAKAKI, H
通讯作者：
SAKAKI, H