Gd doped GaAs:a diluted magnetic semiconductor grown by molecular beam epitaxy
Gd doped GaAs:a diluted magnetic semiconductor grown by molecular beam epitaxy
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Gd掺杂GaAs:分子束外延生长的稀磁半导体
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
ら
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Shiraoka;H. Miyagawa;S. Higuchi;K. Fujii;N. Takahashi;ら
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立方场中二价铁的顺磁共振和光谱。
DOI：
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发表时间：
1960
期刊：
影响因子：
--
作者：
W. Low;M. Weger
通讯作者：
M. Weger
影响因子：
8.6
作者：
HAM, FS;LUDWIG, GW;WOODBURY, HH
通讯作者：
WOODBURY, HH
Hg1-xFexSe 中电荷中心散射率的降低。
DOI：
10.1103/physrevb.35.3900
发表时间：
1987
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
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作者：
Pool;Kossut;Debska;Reifenberger
通讯作者：
Reifenberger
含有 Mn 和 Fe 杂质的 ZnSe 中激子态的巨自旋分裂
影响因子：
1.6
作者：
A. Komarov;S. Ryabchenko;O. V. Terletseii
通讯作者：
O. V. Terletseii
ZnFeSe半磁半导体中s-d交换相互作用的研究
影响因子：
2.1
作者：
A. Twardowski;P. Głód;De Jonge;M. Demianiuk
通讯作者：
M. Demianiuk