Photon-generated carrier transfer process from graphene to quantum dots: optical evidences and ultrafast photonics applications
Photon-generated carrier transfer process from graphene to quantum dots: optical evidences and ultrafast photonics applications
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从石墨烯到量子点的光子生成载流子转移过程：光学证据和超快光子学应用
DOI：
10.1038/s41699-020-00160-6
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发表时间：
2020-07
影响因子：
9.7
通讯作者：
Z. Y. Zhang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
X. Wang;X. H. Li;C. Jiang;C. T. A. Brown;J. Q. Ning;K. Zhang;Q. Yu;X. T. Ge;Q. J. Wang;Z. Y. Zhang
石墨烯/III-V族半导体货车德瓦尔斯（vdW）异质结构为光电器件的物理、功能和上级性能提供了潜在的途径。然而，石墨烯中带隙的缺乏严重限制了载流子性质的可控性，因此阻碍了其应用。在这里，我们展示了工程的石墨烯/GaAs异质结构中的石墨烯带隙通过飞秒激光照射（FLI）的方法诱导的C和Ga交换。带隙开放的石墨烯与GaAs的耦合显着增强了光子的收获和跨VDW异质结构的界面的光子产生的载流子的转移。因此，作为一个示范性的例子，它使我们能够开发一种可饱和的吸收体结合了精心设计的石墨烯/GaAs vdW异质结构与InAs量子点覆盖短周期超晶格。该器件表现出显著改善的非线性特性，包括
AbstractGraphene/III–V semiconductor van der Waals (vdW) heterostructures offer potential access to physics, functionalities, and superior performance of optoelectronic devices. Nevertheless, the lack of a bandgap in graphene severely restricts the controllability of carrier properties and therefore impedes its applications. Here, we demonstrate the engineering of graphene bandgap in the graphene/GaAs heterostructure via C and Ga exchange induced by the method of femtosecond laser irradiation (FLI). The coupling of the bandgap-opened graphene with GaAs significantly enhances both the harvest of photons and the transfer of photon-generated carriers across the interface of vdW heterostructures. Thus, as a demonstration example, it allows us to develop a saturable absorber combining a delicately engineered graphene/GaAs vdW heterostructure with InAs quantum dots capped with short-period superlattices. This device exhibits significantly improved nonlinear characteristics including
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DOI：
10.1038/s43586-022-00151-5
发表时间：
2014-03
期刊：
Nature Reviews Methods Primers
影响因子：
--
作者：
R. Gorbachev
通讯作者：
R. Gorbachev
影响因子：
38.3
作者：
Das, A.;Pisana, S.;Sood, A. K.
通讯作者：
Sood, A. K.
使用多层黑磷作为可饱和吸收体的可切换双波长调Q光纤激光器
影响因子：
7.6
作者：
Liu Junmin;Chen Yu;Zheng Shuiqin;Xu Shixiang;Liu Junmin;Li Ying;Zhang Han;Zheng Shuiqin;Xu SX
通讯作者：
Xu SX
DOI：
10.1007/s00340-005-1879-1
发表时间：
2005-06
期刊：
Applied Physics B
影响因子：
--
作者：
G. Spühler;K. Weingarten;R. Grange;L. Krainer;M. Haiml;V. Liverini;M. Golling;S. Schön;U. Keller-U.
通讯作者：
G. Spühler;K. Weingarten;R. Grange;L. Krainer;M. Haiml;V. Liverini;M. Golling;S. Schön;U. Keller-U.
DOI：
10.1109/photwtm.2011.5730035
发表时间：
2011-03
期刊：
IEEE Winter Topicals 2011
影响因子：
--
作者：
G. Fiol;D. Arsenijevic;H. Schmeckebier;C. Meuer;S. Mikhrin;D. Livshits;D. Bimberg
通讯作者：
G. Fiol;D. Arsenijevic;H. Schmeckebier;C. Meuer;S. Mikhrin;D. Livshits;D. Bimberg