Semiconductor Clathrates at High Pressure
Semiconductor Clathrates at High Pressure
复制标题
高压下的半导体包合物
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Shimizu and T. Kume
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Shimizu;et. al.;H.Shimizu et al.;T.Kume et al.;H.Shimizu et al.;T.Fukushima et al.;清水 宏晏;H. Shimizu and T. Kume
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影响因子：
4
作者：
T. Kume;S. Sasaki;H. Shimizu
通讯作者：
H. Shimizu
I 型包合物 Eu8Ga16Ge30 中压力诱导的非晶化和磁序塌陷
影响因子：
3.7
作者：
J. Mardegan;G. Fabbris;L. Veiga;C. Adriano;M. Avila;D. Haskel;C. Giles
通讯作者：
C. Giles
影响因子：
1.8
作者：
A. Miguel;A. Merlen;P. Toulemonde;T. Kume;S. Floch;A. Aouizerat;S. Pascarelli;G. Aquilanti;O. Mathon;T. Bihan;J. Itié;S. Yamanaka
通讯作者：
A. Miguel;A. Merlen;P. Toulemonde;T. Kume;S. Floch;A. Aouizerat;S. Pascarelli;G. Aquilanti;O. Mathon;T. Bihan;J. Itié;S. Yamanaka
影响因子：
16.6
作者：
Momma, Koichi;Ikeda, Takuji;Kudoh, Yasuhiro
通讯作者：
Kudoh, Yasuhiro
影响因子：
4.4
作者：
HANDA, YP;TSE, JS;WHALLEY, E
通讯作者：
WHALLEY, E