One-dimensional quantum-dot chains of InAs grown on strain-controlled GaAs/InGaAs buffer layers by molecular beam epitaxy
One-dimensional quantum-dot chains of InAs grown on strain-controlled GaAs/InGaAs buffer layers by molecular beam epitaxy
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通过分子束外延在应变控制 GaAs/InGaAs 缓冲层上生长的一维 InAs 量子点链
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Yamaguchi et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
狭間 亮平;三田地 成幸 他;K.Yamaguchi et al.
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通过分子束外延在 GaSb/GaAs(001) 层上自组装 InAs 量子点
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
Journal of Crystal Growth (in press)
影响因子：
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作者：
K.Yamaguchi;et al.
通讯作者：
et al.
均匀 InAs 量子点和量子点链的自形成
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Trans.MRS-J Vol.29, No.1
影响因子：
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作者：
K.Yamaguchi;T.Kaizu;T.Kanto;Y.Suzuki
通讯作者：
Y.Suzuki
通过分子束外延在应变控制的 GaAs/InGaAs 缓冲层上生长的一维 InAs 量子点链
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
Jpn.J.Appl.Phys. Vol.41, No.9AB
影响因子：
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作者：
K.Yamaguchi;K.Kawaguchi;T.Kanto
通讯作者：
T.Kanto
InAs/GaAs 量子点封装初始阶段的形状和表面形貌变化
DOI：
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发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
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作者：
P. Joyce;T. J. Krzyzewski;P. H. Steans;G. Bell;J. Neave;T. Jones
通讯作者：
T. Jones
InAs 高均匀量子点中自旋泡利阻塞的观察
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
Physica Status Solidi (c) Vol.0,No.4
影响因子：
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作者：
Seiko Mitachi;Shigefumi Emura;Yuuta Tajima;Toshiyuki Watanabe;M.Murayama et al.
通讯作者：
M.Murayama et al.