Self-Assembed InAs Quantum Dots on GaSb/GaAs(001) layers by Molecular Beam Epitaxy
Self-Assembed InAs Quantum Dots on GaSb/GaAs(001) layers by Molecular Beam Epitaxy
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通过分子束外延在 GaSb/GaAs(001) 层上自组装 InAs 量子点
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Yamaguchi;et al.
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DOI：
10.1143/jjap.42.4166
发表时间：
2003-06-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
影响因子：
--
作者：
Kaizu, T;Yamaguchi, K
通讯作者：
Yamaguchi, K
影响因子：
4
作者：
ARAKAWA, Y;SAKAKI, H
通讯作者：
SAKAKI, H
使用磁隧道实验确定 InAs 量子点的尺寸
影响因子：
1.9
作者：
I. Hapke;U. Zeitler;H. Schumacher;R. Haug;K. Pierz;F. Ahlers
通讯作者：
F. Ahlers
InAs/GaAs 自组装量子点的 1.3 µm 室温发射
影响因子：
1.5
作者：
R. Murray;D. Childs;S. Malik;Philip Siverns;C. Roberts;J. Hartmann;P. Stavrinou
通讯作者：
P. Stavrinou