M.Watamori: "High-Energy Ion Channeling Study of the Atomic Displacement of Si(111)surfaces Induced by Ag Thin Films." Surface Science. 226. (1990)
M.Watamori: "High-Energy Ion Channeling Study of the Atomic Displacement of Si(111)surfaces Induced by Ag Thin Films." Surface Science. 226. (1990)
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M.Watamori：“银薄膜引起的 Si(111) 表面原子位移的高能离子通道研究”。
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利用低能离子散射光谱 (ISS) 和 LEED-AES 研究 Si(111) 上 Ag 的初始生长过程和表面结构
影响因子：
1.9
作者：
M. Saitoh;F. Shoji;K. Oura;T. Hanawa
通讯作者：
T. Hanawa
入射光束摇摆AES法表面结构研究
DOI：
10.1016/0039-6028(85)90767-8
发表时间：
1985
期刊：
影响因子：
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作者：
Y. Horio;A. Ichimiya
通讯作者：
A. Ichimiya
Si(111)–(7×7) 上的氢吸附
DOI：
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发表时间：
1982
期刊：
影响因子：
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作者：
R. Culbertson;L. Feldman;P. Silverman;R. Haight
通讯作者：
R. Haight
重构对外延生长的影响：Ge对Si(100)-(2×1)和Si(111)-(7×7)
影响因子：
1.9
作者：
H. Gossmann;L. Feldman;W. Gibson
通讯作者：
W. Gibson
结合 LEED、AES 和 UPS 研究 Si(111)7 × 7 上银薄膜生长的初始阶段
影响因子：
1.9
作者：
F. Wehking;H. Beckermann;R. Niedermayer
通讯作者：
R. Niedermayer