Photoemission study of electronic structure evolution across the metal-insulator transition of heavily B-doped diamond
Photoemission study of electronic structure evolution across the metal-insulator transition of heavily B-doped diamond
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重硼掺杂金刚石金属-绝缘体转变过程中电子结构演化的光电研究
DOI：
10.1016/j.jpcs.2010.10.052
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
et al
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H.Okazaki;et al
利用紫外光电子能谱（UPS）研究了重掺硼金刚石薄膜在金属-绝缘体转变（MIT）过程中的电子结构演化。从高温UPS中，通过它可以观察到费米能级（EF）附近的电子态高达105 kBT（kB是玻尔兹曼常数，T是温度），我们观察到EF附近的光谱形状的载流子浓度依赖性。利用另一种与载流子浓度相关的UPS，我们发现金刚石价带的sp带能量位置的变化，对应于EF的移动，可以用简并半导体模型来解释，表明金刚石价带是负责金属态的浓度高于MIT的样品。我们讨论了一个可能的电子结构的演变整个麻省理工学院。
We studied the electronic structure evolution of heavily B-doped diamond films across the metal–insulator transition (MIT) using ultraviolet photoemission spectroscopy (UPS). From high-temperature UPS, through which electronic states near the Fermi level (EF) up to ∼5kBT can be observed (kBis the Boltzmann constant and T the temperature), we observed the carrier concentration dependence of spectral shapes near EF. Using another carrier concentration dependent UPS, we found that the change in energy position of sp-band of the diamond valence band, which corresponds to the shift of EF, can be explained by the degenerate semiconductor model, indicating that the diamond valence band is responsible for the metallic states for samples with concentrations above MIT. We discuss a possible electronic structure evolution across MIT.
影响因子：
4
作者：
H. Okazaki;T. Yokoya;J. Nakamura;N. Yamada;Tetsuya Nakamura;T. Muro;Y. Tamenori;T. Matsushita;Y. Takata;T. Tokushima;Shik Shin;Y. Takano;M. Nagao;T. Takenouchi;H. Kawarada;T. Oguchi
通讯作者：
T. Oguchi
直链烷烃的核心电子弛豫能和价带形成的 X 射线光发射研究。
DOI：
10.1103/physrevb.15.2242
发表时间：
1977
期刊：
影响因子：
--
作者：
J. Pireaux;R. Caudano
通讯作者：
R. Caudano
CVD 金刚石薄膜中的超导性
DOI：
10.1088/0953-8984/21/25/253201
发表时间：
2005
期刊：
Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子：
--
作者：
Y. Takano
通讯作者：
Y. Takano