The c(4 × 4)-a(1 × 3) surface reconstruction transition on InSb(0 0 1): Static versus dynamic conditions
The c(4 × 4)-a(1 × 3) surface reconstruction transition on InSb(0 0 1): Static versus dynamic conditions
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InSb(0 0 1) 上的 c(4 × 4)-a(1 × 3) 表面重建转变：静态与动态条件
DOI：
10.1016/j.rinp.2015.05.004
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发表时间：
2015
影响因子：
5.3
通讯作者：
Bomphrey J
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Bomphrey J
在没有入射In通量的情况下，用反射高能电子衍射仔细监测了InSb（0 0 1）的a（1 × 3）和c（4 × 4）表面重构之间的转变，并将其作为温度和sb2通量的函数。在整个sb2通量和温度范围内观察到类似阿伦尼乌斯的行为，允许对衬底温度进行精确的内部校准。这种行为与动态分子束外延条件下获得的聚合数据形成对比，后者显示了两种状态，而不是单一的阿伦尼乌斯样相边界。结果定性地解释了原子动力学在静态和动态条件下。
The transition between the a(1 × 3) and c(4 × 4) surface reconstructions of InSb(0 0 1) has been carefully monitored by reflection high energy electron diffraction as a function of temperature and Sb2flux, without incident In flux. Arrhenius-like behaviour is observed across the whole range of Sb2fluxes and temperatures, allowing accurate internal calibration of substrate temperature. This behaviour is in contrast to aggregated data obtained under dynamic molecular beam epitaxy conditions, which show two regimes rather than a single Arrhenius-like phase boundary. The results are explained qualitatively by the atomistic kinetics in static versus dynamic conditions.
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