Electrical characterization of n-doped SiGeSn diodes with high Sn content
Electrical characterization of n-doped SiGeSn diodes with high Sn content
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高 Sn 含量 n 掺杂 SiGeSn 二极管的电学特性
DOI：
10.1088/1361-6641/aae3ab
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发表时间：
2018
影响因子：
1.9
通讯作者：
J. Schulze
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
C.J. Clausen;I.A. Fischer;D. Weisshaupt;F. Baerwolf;B. Tillack;G. Colston;M. Myronov;M. Oehme;J. Schulze
采用分子束外延的方法，制备了不同合金成分和晶格匹配锗的未掺杂和掺杂Si x Ge 1−x−y Sn y层的二极管，并对其进行了实验表征。我们讨论了材料和电气器件的特性，并研究了不同的接触金属化（Ni和Al）。特别是，我们研究了Ni （Si x Ge 1−x−y Sn y）在掺杂sb的Si x Ge 1−x−y Sn y层上通过退火形成的材料特性和特定接触电阻率的测量。我们的结果可以作为研究高Si和Sn含量的Si x Ge 1−x−y Sn y层作为光电器件（如激光器和发光二极管）包层材料的起点。
Diodes incorporating undoped and Sb-doped Si x Ge 1− x− y Sn y layers grown by molecular beam epitaxy with different alloy compositions and lattice-matched to Ge were fabricated and characterized experimentally. We discuss material as well as electrical device characterization and investigate different contact metallizations (Ni and Al). In particular, we investigate the formation of Ni (Si x Ge 1− x− y Sn y) on the doped Sb-doped Si x Ge 1− x− y Sn y layers via annealing based on material characterization and measurements of specific contact resistivities. Our results can serve as a starting point for the investigation of Si x Ge 1− x− y Sn y layers with high Si and Sn content as cladding material in optoelectronic devices such as lasers and light emitting diodes.
富锡Ge1-x-ySixSny材料与器件的合成及光学性质
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
Chi Xu;R. Beeler;Liying Jiang;J. Gallagher;Ruben Favaro;J. Menéndez;J. Kouvetakis
通讯作者：
J. Kouvetakis
Ge1−x−ySixSny 合金带隙的成分依赖性
影响因子：
4
作者：
Torsten Wendav;I. Fischer;M. Montanari;M. Zoellner;W. Klesse;G. Capellini;N. V. D. Driesch;M. Oehme;D. Buca;K. Busch;J. Schulze
通讯作者：
J. Schulze