Maskless selective epitaxy of InGaN by an InGa low energy focused ion beam and dimethylhydrazine

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采用 InGa 低能聚焦离子束和二甲肼进行 InGaN 无掩模选择性外延

DOI：
10.1016/s0022-0248(01)00746-1
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发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K. Pak
K. Pak
中科院分区：
--
文献类型：
--
作者：
D. H. Cho;M. Tanaka;K. Pak

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参考文献

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