M.Araki: "Fabrication of InGaAs Quantum Wires and Dots by Selective Molecular Beam Epitaxial Growth on Various Mesa-Patterned (001) InP Substrates"Jpn.J.Appl.Phys.. 36. 1763 (1997)
M.Araki: "Fabrication of InGaAs Quantum Wires and Dots by Selective Molecular Beam Epitaxial Growth on Various Mesa-Patterned (001) InP Substrates"Jpn.J.Appl.Phys.. 36. 1763 (1997)
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M.Araki：“在各种台面图案 (001) InP 衬底上通过选择性分子束外延生长制造 InGaAs 量子线和点”Jpn.J.Appl.Phys.. 36. 1763 (1997)
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Fujikura：“通过选择性分子束外延形成的 InP 基 InGaAs 脊量子线的光学性质的光致发光和阴极发光研究”Jpn.J.Appl.Phys.. 35. 1333 (1996)
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
通讯作者：
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使用 GaAs 氧化物作为掩模的 GaAs 选择性区域外延
DOI：
10.1143/jjap.29.l1360
发表时间：
1990
期刊：
影响因子：
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作者：
Y. Hiratani;Y. Ohki;Y. Sugimoto;K. Akita;M. Taneya;H. Hidaka
通讯作者：
H. Hidaka