Signal Probability Control for Relieving NBTI in SRAM Cells
Signal Probability Control for Relieving NBTI in SRAM Cells
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用于缓解 SRAM 单元中 NBTI 的信号概率控制
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hiroto Yasuura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yuji Kunitake;Toshinori Sato;Hiroto Yasuura
负偏压和正偏压温度应力对 6T-SRAM 单元的影响
影响因子：
0.4
作者：
S. Drapatz;G. Georgakos;D. Schmitt
通讯作者：
D. Schmitt