Dynamic characterization of SiC and GaN devices with BTI stresses
Dynamic characterization of SiC and GaN devices with BTI stresses
复制标题
具有 BTI 应力的 SiC 和 GaN 器件的动态特性
DOI：
10.1016/j.microrel.2019.06.081
复制
发表时间：
2019
影响因子：
1.6
通讯作者：
O. Alatise
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
J. Ortiz Gonzalez;M. Hedayati;S. Jahdi;B. Stark;O. Alatise
影响因子：
6.7
作者：
Ji Hu;O. Alatise;J. González;R. Bonyadi;L. Ran;P. Mawby
通讯作者：
Ji Hu;O. Alatise;J. González;R. Bonyadi;L. Ran;P. Mawby
SiC MOSFET 栅极氧化层可靠性对使用温度敏感电气参数估算结温的影响
DOI：
10.1109/ecce.2018.8557810
发表时间：
2018
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
Gonzalez J
通讯作者：
Gonzalez J