Impact of the Gate Oxide Reliability of SiC MOSFETs on the Junction Temperature Estimation Using Temperature Sensitive Electrical Parameters
Impact of the Gate Oxide Reliability of SiC MOSFETs on the Junction Temperature Estimation Using Temperature Sensitive Electrical Parameters
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SiC MOSFET 栅极氧化层可靠性对使用温度敏感电气参数估算结温的影响
DOI：
10.1109/ecce.2018.8557810
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Gonzalez J
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Gonzalez J
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DOI：
10.1016/j.microrel.2017.06.082
发表时间：
2017-09
期刊：
Microelectron. Reliab.
影响因子：
--
作者：
J. González;O. Alatise
通讯作者：
J. González;O. Alatise
SiC MOSFET 的功率循环方法
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's
影响因子：
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作者：
C. Herold;J. Sun;P. Seidel;L. Tinschert;J. Lutz
通讯作者：
J. Lutz
适用于极端环境的高效升压电源处理单元中的碳化硅功率 MOSFET 性能
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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作者：
Stanley A. Ikpe;J. Lauenstein;G. Carr;D. Hunter;L. Ludwig;William A. Wood;L. Castillo;Fred D. Fitzpatrick;Yuan Chen
通讯作者：
Yuan Chen
影响因子：
4.1
作者：
Lelis, Aivars J.;Green, Ronald;Habersat, Daniel B.
通讯作者：
Habersat, Daniel B.
评估 SiC MOSFET 中 BTI 效应的测量注意事项
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
Microelectronics and reliability
影响因子：
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作者：
D. Habersat;A. Lelis;R. Green
通讯作者：
R. Green