Charge density wave gap formation of NbSe3 detected by electron tunneling
Charge density wave gap formation of NbSe3 detected by electron tunneling
复制标题
电子隧道检测 NbSe3 电荷密度波隙形成
DOI：
10.1103/physrevlett.82.811
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发表时间：
1999-01
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Zhang Dianlin
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
He Haifeng;Zhang Dianlin
77 K 和室温之间的 NbSe3 隧道光谱已被仔细测量。电荷密度波 (CDW) 赝能隙在温度高于约 260 K 时存在。虽然间隙参数在约 130 K 和约 160 K 之间经历加速变化，但零偏压下的结电导在 CDW 转变温度上限 T-1 = 145 K 附近没有显示任何异常。在平均场转变温度以下，有四种状态：存在真正的 CDW 状态的状态、固定和移动 CDW 共存的状态、赝能隙的状态以及电流测量几乎无法检测到 CDW 波动的状态。
Tunneling spectra of NbSe3 between 77 K and room temperature have been measured carefully. A charge density wave (CDW) pseudogap exists up to a temperature higher than similar to 260 K. While the gap parameter undergoes an accelerated change between similar to 130 and similar to 160 K, the junction conductance at zero bias does not show any anomaly around T-1 = 145 K, the upper CDW transition temperature. Below the mean field transition temperature there are four regimes: a regime where a true CDW state exists, a regime where pinned and mobile CDW coexist, a regime of a pseudogap, and a regime where the CDW fluctuation can barely be detected by current measurements.
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