Dehydrogenation-induced crystal defects for significant enhancement of critical current density in polycrystalline H-doped MgB2
Dehydrogenation-induced crystal defects for significant enhancement of critical current density in polycrystalline H-doped MgB2
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脱氢引起的晶体缺陷显着提高了多晶 H 掺杂 MgB2 的临界电流密度
DOI：
10.1007/s10854-020-04862-x
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发表时间：
2020-11
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Feng Xinya
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Cai Qi;Li Xinyao;Li Shukui;He Chuan;Liu Xingwei;Feng Xinya
本研究发现硼氢化物的钉扎和氢处理的MgB2块体中的晶体缺陷显著提高了临界电流密度。基于气体掺杂的概念，制备了纳米硼氢化物Mg（BH4）2
The present study discovers the significant enhancement of critical current density by the pinning of borohydride and crystal defects in the hydrogen-treated MgB 2 bulks. Based on the concept of gas doping, the nanosized borohydride Mg(BH 4 ) 2 is formed
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影响因子：
3.7
作者：
Martinez, E.;Mikheenko, P.;Abell, J. S.
通讯作者：
Abell, J. S.
影响因子：
3.6
作者：
Delin Yang;Hongwei Sun;Hongxia Lu;Yiqun Guo;Xinjian Li;Xing Hu
通讯作者：
Delin Yang;Hongwei Sun;Hongxia Lu;Yiqun Guo;Xinjian Li;Xing Hu
DOI：
10.1007/s10854-020-03418-3
发表时间：
2020-04
期刊：
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
影响因子：
--
作者：
H. R. Liu;Z. Xie;L. Jin;F. Yang;S. N. Zhang;Q. Y. Wang;X. Xiong;J. Feng;C. Li;L. Zhou-L.
通讯作者：
H. R. Liu;Z. Xie;L. Jin;F. Yang;S. N. Zhang;Q. Y. Wang;X. Xiong;J. Feng;C. Li;L. Zhou-L.
影响因子：
3.6
作者：
T. Naito;Takafumi Yoshida;H. Fujishiro
通讯作者：
T. Naito;Takafumi Yoshida;H. Fujishiro
影响因子：
1.6
作者：
DEWHUGHES, D
通讯作者：
DEWHUGHES, D