Recrystallization process of phosphorus ion implanted 4H-SiC(112-0)
Recrystallization process of phosphorus ion implanted 4H-SiC(112-0)
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磷离子注入4H-SiC(112-0)的再结晶过程
DOI：
10.1016/j.nimb.2005.08.093
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发表时间：
2006
影响因子：
1.3
通讯作者：
T. Suzuki
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Satoh;T. Hitomi;T. Suzuki
(1120) 取向 6H-SiC 固相外延全非晶化注入层中注入磷的高电激活
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics 42
影响因子：
--
作者：
T.Nakamura;H.Tanabe;M.Satoh
通讯作者：
M.Satoh