Tunable bandgap of monolayer black phosphorus by using vertical electric field: A DFT study
Tunable bandgap of monolayer black phosphorus by using vertical electric field: A DFT study
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利用垂直电场可调谐单层黑磷的带隙：DFT 研究
DOI：
10.3938/jkps.66.1031
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发表时间：
2015-04
影响因子：
0.6
通讯作者：
Yin, You
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang, Bin;Sheng, Kuang;Li, Can;Yin, You
利用基于广义梯度近似(GGA)的从头算平面波超软赝势方法，研究了外加垂直于单层黑磷的电场对单层黑磷的带隙调谐。随着外加电场的增加，带隙不断减小，最终使其金属化。我们使用巨斯塔克效应来解释带隙随外加电场的变化率，该效应的本质特征是层间距。原子距离和电荷对半导体到金属的转变也有贡献。我们的研究表明，在制作新型电子器件和光子器件时，禁带宽度会发生变化。
Using a ab initio plane-wave ultrasoft pseudopotential method based on the generalized gradient approximation (GGA), we investigate the bandgap tuning in monolayer black phosphorus by applying external electric fields perpendicular to the layers. The bandgap continuously decreases with increasing applied electric fields, eventually rendering them metallic. We use the giant Stark effect, which is essentially characterized by an interlayer spacing to explain the rate of change of the bandgap with the applied external field. The atomic distance and charges also contribute to the semiconductor-to-metal transition. Our investigations show the bandgap change for the fabrication of novel electronic and photonic devices.
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DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
Mobility Liu;A. Neal;Zhen Zhu;Zhe Luo;Xianfan Xu;D. Tománek;P. Ye
通讯作者：
Mobility Liu;A. Neal;Zhen Zhu;Zhe Luo;Xianfan Xu;D. Tománek;P. Ye
DOI：
10.1088/0953-8984/22/1/015502
发表时间：
2010-01
期刊：
Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子：
--
作者：
Ø. Prytz;E. Flage-Larsen
通讯作者：
Ø. Prytz;E. Flage-Larsen
DOI：
10.1016/0378-4363(81)90222-9
发表时间：
1981-01-01
期刊：
PHYSICA B & C
影响因子：
--
作者：
TAKAO, Y;MORITA, A
通讯作者：
MORITA, A
影响因子：
2.7
作者：
MORITA, A
通讯作者：
MORITA, A
氮化硼纳米带和纳米管中巨斯塔克效应的标度定律
影响因子：
3.7
作者：
Zheng, Fawei;Liu, Zhirong;Gu, Bing-Lin
通讯作者：
Gu, Bing-Lin