Reexamination of the Schottky Barrier Heights in Monolayer MoS2 Field-Effect Transistors
Reexamination of the Schottky Barrier Heights in Monolayer MoS2 Field-Effect Transistors
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单层 MoS2 场效应晶体管肖特基势垒高度的重新检验
DOI：
10.1021/acsanm.9b00200
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发表时间：
2019-07
影响因子：
5.9
通讯作者：
Jing Lu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yuanyuan Pan;Jihuan Gu;Hao Tang;Xiuying Zhang;Jingzhen Li;Bowen Shi;Jie Yang;Han Zhang;Jiahuan Yan;Shiqi Liu;Han Hu;Mingbo Wu;Jing Lu
由于其承诺的单层应用（ML）MOS2，ML MOS2 - METAL触点已被广泛探索。
Owing to its promising electronic application of monolayer (ML) MoS2, ML MoS2–metal contacts have been widely explored. The experiments reveal a very strong Fermi level pinning, and the correspondi...
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影响因子：
3
作者：
Grimme, Stefan
通讯作者：
Grimme, Stefan
双层磷烯晶体管中的肖特基势垒
DOI：
10.1021/acsami.6b16826
发表时间：
2017
期刊：
Applied Materials & Interfaces
影响因子：
--
作者：
Yuanyuan Pan;Yang Dan;Yangyang Wang;Meng Ye;Han Zhang;Ruge Quhe;Xiuying Zhang;Jingzhen Li;Wanlin Guo;Li Yang;Jing Lu
通讯作者：
Jing Lu
通过表面吸附实现硅烯中可调节且相当大的带隙
影响因子：
4.6
作者：
Quhe R;Fei R;Liu Q;Zheng J;Li H;Xu C;Ni Z;Wang Y;Yu D;Gao Z;Lu J
通讯作者：
Lu J
影响因子：
17.1
作者：
Sarkar, Deblina;Liu, Wei;Banerjee, Kaustav
通讯作者：
Banerjee, Kaustav
影响因子：
9.5
作者：
Guo, Yuzheng;Liu, Dameng;Robertson, John
通讯作者：
Robertson, John