Probing different regimes of strong field light–matter interaction with semiconductor quantum dots and few cavity photons
Probing different regimes of strong field light–matter interaction with semiconductor quantum dots and few cavity photons
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探测强场光物质与半导体量子点和少量腔光子相互作用的不同机制
DOI：
10.1088/1367-2630/aa5198
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发表时间：
2016
影响因子：
3.3
通讯作者：
P. Michler
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
F. Hargart;K. Roy-Choudhury;T. John;S. Luca Portalupi;C. Schneider;S. Höfling;M. Kamp;S. Hughes;P. Michler
在这项工作中，我们对腔驱动量子点(QD)腔系统中不同区域的强场光-物质相互作用进行了广泛的实验和理论研究。高Q微柱腔内的电场增强促进了与腔内极少光子的极强相互作用，使得同时研究大范围的QD激光失谐成为可能。在共振驱动的情况下，对于平均腔光子数，测量了修饰态的形成和高达45μeV的莫洛三重态边带分裂
In this work we present an extensive experimental and theoretical investigation of different regimes of strong field light–matter interaction for cavity-driven quantum dot (QD) cavity systems. The electric field enhancement inside a high-Q micropillar cavity facilitates exceptionally strong interaction with few cavity photons, enabling the simultaneous investigation for a wide range of QD-laser detuning. In case of a resonant drive, the formation of dressed states and a Mollow triplet sideband splitting of up to 45 μeV is measured for a mean cavity photon number
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