A PVT-independent Schmitt trigger with fully adjustable hysteresis threshold voltages for low-power 1-bit digitization applications
A PVT-independent Schmitt trigger with fully adjustable hysteresis threshold voltages for low-power 1-bit digitization applications
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独立于 PVT 的施密特触发器，具有完全可调的迟滞阈值电压，适用于低功耗 1 位数字化应用
DOI：
10.1587/elex.13.20160650
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发表时间：
2016-08
影响因子：
0.8
通讯作者：
Ouyang Tingbing
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Lin Ke;Wang Xin'an;Zhang Xing;Wang Bo;Ouyang Tingbing
提出了一种与工艺、电压、温度（PVT）无关的施密特触发器，该触发器具有完全可调的迟滞阈值电压。这些特性是由于在反相比较器中引入了自校正电路，并沿着了滞环特性的反馈控制网络。该施密特触发器采用SMIC 0.13 μm CMOS工艺设计和制作。它具有更低的功耗仅为2.51 μW，并且还具有可调的滞后阈值电压范围从350 mV到850 mV，最小电源电压为1.0 V。所有这些优点使其非常适合在低功率感测节点中作为1位数字化工作。
This paper proposes a process, voltage, temperature (PVT) independent Schmitt trigger with fully adjustable hysteresis threshold voltages. These characteristics are attributed to the proposition of a self-tuning circuit in the inverter-comparator, along with a feedback controlling network for hysteresis characteristic. The proposed Schmitt trigger is designed and fabricated with SMIC 0.13 μm CMOS technology. It has much less power consumption of only 2.51 μW, and features also an adjustable hysteresis threshold voltages ranging from 350mV to 850mV at a minimum supply voltage of 1.0V. All these advantages make it very suitable to work as 1-bit digitization in a low power sensing node.
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DOI：
10.1515/bmte.2002.47.s1a.365
发表时间：
2002
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
R. Schmidt;T. Norgall;J. Mörsdorf;J. Bernhard;Thomas von der Grün
通讯作者：
R. Schmidt;T. Norgall;J. Mörsdorf;J. Bernhard;Thomas von der Grün
DOI：
10.1109/esscir.2006.307496
发表时间：
2006-09
期刊：
2006 Proceedings of the 32nd European Solid-State Circuits Conference
影响因子：
--
作者：
Seong-Jun Song;Namjun Cho;Sunyoung Kim;H. Yoo
通讯作者：
Seong-Jun Song;Namjun Cho;Sunyoung Kim;H. Yoo
DOI：
10.1109/iscas.2008.4541823
发表时间：
2008-05
期刊：
2008 IEEE International Symposium on Circuits and Systems
影响因子：
--
作者：
V. Katyal;R. Geiger;Degang Chen
通讯作者：
V. Katyal;R. Geiger;Degang Chen
DOI：
10.1587/elex.8.589
发表时间：
2011
期刊：
IEICE Electron. Express
影响因子：
--
作者：
Nasser Erfani Majd;M. Lotfizad;M. Ghaznavi‐Ghoushchi;A. Abadian
通讯作者：
Nasser Erfani Majd;M. Lotfizad;M. Ghaznavi‐Ghoushchi;A. Abadian
DOI：
10.1109/tcsi.2011.2177129
发表时间：
2012-01
期刊：
IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers
影响因子：
--
作者：
Srikar Bhagavatula;B. Jung
通讯作者：
Srikar Bhagavatula;B. Jung