Polymer-Based Gate Dielectrics for Organic Field-Effect Transistors
Polymer-Based Gate Dielectrics for Organic Field-Effect Transistors
复制标题
用于有机场效应晶体管的聚合物栅极电介质
DOI：
10.1021/acs.chemmater.8b03904
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发表时间：
2019-03
影响因子：
8.6
通讯作者：
Jiang Pingkai
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang Yuxin;Huang Xingyi;Li Tao;Li Liqiang;Guo Xiaojun;Jiang Pingkai
聚合物基栅介质由于其在场效应晶体管中的重要作用而受到越来越多的关注。本文综述了高性能有机场效应晶体管用聚合物薄膜的最新进展。我们首先讨论了聚合物的要求，在剪裁的整体性能的OFFERENT从整体材料的性能和表面特性的聚合物的角度。在此基础上，我们介绍了聚合物薄膜的设计策略和所需的加工技术，以优化电荷传输和稳定的操作OFFERS。通过对聚合物材料和聚合物纳米复合材料的分类和比较，重点阐述了聚合物结构、栅介电性能和OFET性能之间的重要关系。最后，展望了未来的研究方向和面临的挑战。
Polymer-based gate dielectrics have received growing attention due to their important role in field-effect transistors (OFETs). This review article aims to present the recent progress of polymer dielectrics for high-performance OFET applications. We first discuss the requirements for polymer dielectrics in tailoring the overall performance of OFETs from the perspective of both bulk material properties and surface characteristics of the polymers. On this basis, we introduce the design strategies and desired processing techniques of polymer dielectrics for optimizing the charge transport and stabilizing the operation of OFETs. Then, we highlight the recent advances in polymer-based dielectrics by classifying and comparing different categories of polymeric materials as well as polymer nanocomposites, and focus is also given to elucidating the critical relationships between polymer structures, gate dielectric properties and OFET performance. Finally, a perspective of future research directions and challenges ...
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影响因子：
5.5
作者：
Sipei Zhang;Keun Hyung Lee;Jingru Sun;C. Frisbie;T. Lodge
通讯作者：
Sipei Zhang;Keun Hyung Lee;Jingru Sun;C. Frisbie;T. Lodge
影响因子：
5.5
作者：
Tang, Boxin;White, Scott P.;Lodge, Timothy P.
通讯作者：
Lodge, Timothy P.
影响因子：
--
作者：
Zhongbo Zhang;David H. Wang;M. Litt;Loon-Seng Tan;Lei Zhu
通讯作者：
Zhongbo Zhang;David H. Wang;M. Litt;Loon-Seng Tan;Lei Zhu
影响因子：
19
作者：
Eul‐Yong Shin;H. Cho;Sungwook Jung;Changduk Yang;Yong‐Young Noh
通讯作者：
Eul‐Yong Shin;H. Cho;Sungwook Jung;Changduk Yang;Yong‐Young Noh
影响因子：
5.4
作者：
M. Jang;Minjung Lee;Hwanho Shin;Joongyu Ahn;Mingyuan Pei;J. Youk;Hoichang Yang
通讯作者：
M. Jang;Minjung Lee;Hwanho Shin;Joongyu Ahn;Mingyuan Pei;J. Youk;Hoichang Yang