Enhance emission efficiency of InGaN films with Si doping
Enhance emission efficiency of InGaN films with Si doping
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通过 Si 掺杂提高 InGaN 薄膜的发射效率
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Dabing Li
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.Sugishita;A.Shoji;Y.Mukai;T.Nishiguchi;K.Michikami;T.Isshiki;S.Ohshima;Dabing Li
生长温度和Si掺杂对高温GaN上生长的GaN薄膜微观结构的影响
DOI：
10.1002/pssc.200303484
发表时间：
2003
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
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作者：
K. Son;Dong;H. Cho;Kyuhan Lee;Sunwoon Kim;Keunseop Park;JunHo Kim
通讯作者：
JunHo Kim