Strain field under SiO2/Si interface revealed by multiple X-ray diffraction phenomenon
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多次X射线衍射现象揭示SiO2/Si界面下的应变场
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kazushi Miki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Wataru Yashiro;Yoshitaka Yoda;Takashi Aratani;Akinobu Teramoto;Takeo Hattori;Kazushi Miki
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