Oxidation of CdTe thin film in air coated with and without a CdCl2 layer
Oxidation of CdTe thin film in air coated with and without a CdCl2 layer
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涂覆和不涂覆 CdCl2 层的 CdTe 薄膜在空气中的氧化
DOI：
10.1002/pssa.201228107
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发表时间：
2012-10
影响因子：
2
通讯作者：
Deliang Wang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhizhong Bai;Deliang Wang
在CdS/CdTe太阳电池的制备过程中，氧经常存在或有意引入到CdTe的生长和退火气氛中。在这项研究中，对比研究了在空气中分别涂覆和不涂覆氯化镉薄膜时，薄膜在空气中的氧化情况。结果表明，在CdTe薄膜表面涂覆了一层较薄的CdCl2，增强了其表面的氧化作用。在薄膜表面附近，薄膜由低熔点的Cd Te共晶混合物和Cd Te、Te氧化物组成。低熔点混合物的形成是由低得多的氯化镉熔点、氧化物的存在和镉化合物的作用促成的。这种低熔化层增强了氧与CdTe薄膜的反应。主要氧化物为CdTeO_3。在400 °C空气中对CdTe薄膜进行了退火处理，制备了效率为9.9%的CdTe太阳电池。
During the fabrication process of a CdS/CdTe solar cell, oxygen is often present or intentionally introduced in the CdTe growth and annealing atmospheres. In this study a comparative study was carried out on the oxidation of thin CdTe films during the annealing process in air when coated with and without a CdCl2 layer, respectively. It was found that the presence of a thin CdCl2 coating layer on the CdTe film surface enhanced the oxidation of the CdTe surface. Near the film surface, the film was composed of a low‐melting eutectic mixture of CdTe and oxides of CdTe and Te. The formation of the low‐melting mixture was assisted by the much lowered melting point of CdCl2, the presence of oxides, and the CdTe compound. This low‐melting layer enhanced the oxygen reaction with the CdTe film. The dominant oxide was CdTeO3. A CdTe solar cell with an efficiency of 9.9% was fabricated with a CdTe film subjected to an annealing in air at 400 °C with the presence of a CdCl2 coating layer.
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影响因子：
6.7
作者：
Wu, XZ
通讯作者：
Wu, XZ
DOI：
10.1016/j.saa.2005.07.004
发表时间：
2006-05
期刊：
Spectrochimica acta. Part A, Molecular and biomolecular spectroscopy
影响因子：
--
作者：
T. Mohamed;I. Shaltout;K. M. Al Yahyaei
通讯作者：
T. Mohamed;I. Shaltout;K. M. Al Yahyaei
影响因子：
2.1
作者：
L. Vaillant;N. Armani;L. Nasi;G. Salviati;A. Bosio;S. Mazzamuto;N. Romeo
通讯作者：
L. Vaillant;N. Armani;L. Nasi;G. Salviati;A. Bosio;S. Mazzamuto;N. Romeo
影响因子：
2.1
作者：
K. V. Krishna;V. Dutta
通讯作者：
K. V. Krishna;V. Dutta
影响因子：
6.9
作者：
V. Valdna
通讯作者：
V. Valdna