Annealing Treatment of Ferroelectric Pb (Zr0.52Ti0.48)O3 Thin Films with La0.5Sr0.5CoO3 Buffer Layer
Annealing Treatment of Ferroelectric Pb (Zr0.52Ti0.48)O3 Thin Films with La0.5Sr0.5CoO3 Buffer Layer
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La0.5Sr0.5CoO3缓冲层铁电Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜的退火处理
DOI：
10.4028/www.scientific.net/amr.739.42
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发表时间：
2013-08
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
郭杰
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
郭杰
Lead zirconium titanate Pb (Zr0.52Ti0.48)O3 (PZT) thin films have been deposited on Pt/Ti/Si substrate by rf-magnetron sputtering. X rays diffraction revealed that at 600°C the PZT thin film had crystallized into ABO3 perovskite phase. Degree of crystalli
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DOI：
10.1007/s00339-004-2822-8
发表时间：
2004-09-01
影响因子：
2.7
作者：
Pham, MTN;Boukamp, BA;Blank, DHA
通讯作者：
Blank, DHA
影响因子：
3.9
作者：
David Sankoff
通讯作者：
David Sankoff
影响因子：
--
作者：
D. Pontes;L. Gracia;F. Pontes;A. Beltrán;J. Andrés;E. Longo
通讯作者：
D. Pontes;L. Gracia;F. Pontes;A. Beltrán;J. Andrés;E. Longo
影响因子：
8.6
作者：
Akimov, IA;Sirenko, AA;Xi, XX
通讯作者：
Xi, XX