High-Q Resonators on Single Crystal Aluminum Nitride Grown by Molecular Beam Epitaxy
High-Q Resonators on Single Crystal Aluminum Nitride Grown by Molecular Beam Epitaxy
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分子束外延生长的单晶氮化铝上的高 Q 谐振器
DOI：
10.23919/cleo.2019.8749635
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Z. Mi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yi Sun;D. Laleyan;E. Reid;Ping Wang;Xianhe Liu;A. Pandey;M. Soltani;Z. Mi
我们报道了使用分子束外延(MBE)生长的单晶氮化铝(AlN)在770 nm波长实现高Q(>；70,000)微环谐振器的演示，这是一种使电子/光子与III-氮化物集成的关键生长技术。©2019作者(S)
We report the demonstration of high-Q (> 70,000) microring resonators at 770 nm wavelength using single crystal aluminum nitride (AlN) grown by molecular-beam-epitaxy (MBE) which is a crucial growth technique enabling electronic/photonic integration with III-Nitrides. © 2019 The Author(s)
影响因子：
10.4
作者：
Liu, Xianwen;Bruch, Alexander W.;Tang, Hong X.
通讯作者：
Tang, Hong X.