A Radiation-Hardened Non-redundant Flip-Flop, Stacked Leveling Critical Charge Flip-Flop in a 65 nm Thin BOX FD-SOI Process
A Radiation-Hardened Non-redundant Flip-Flop, Stacked Leveling Critical Charge Flip-Flop in a 65 nm Thin BOX FD-SOI Process
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采用 65 nm Thin BOX FD-SOI 工艺的抗辐射非冗余触发器、堆叠式整平临界电荷触发器
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kazutoshi Kobayashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jun Furuta;Junki Yamaguchi;Kazutoshi Kobayashi
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DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
International Optical Design Conference
影响因子：
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作者：
R. John Koshel
通讯作者：
R. John Koshel
K 计算机：8.162 PetaFLOPS 大规模并行标量超级计算机，采用超过 548k 内核构建
DOI：
10.1109/isscc.2012.6176971
发表时间：
2012
期刊：
2012 IEEE International Solid-State Circuits Conference
影响因子：
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作者：
Hiroyuki Miyazaki;Yoshihiro Kusano;H. Okano;Tatsumi Nakada;Ken Seki;T. Shimizu;Naoki Shinjo;F. Shoji;Atsuya Uno;M. Kurokawa
通讯作者：
M. Kurokawa
时钟 CMOS 计算器电路
DOI：
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发表时间：
1973
期刊：
影响因子：
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作者：
K. Kuijk;A. Hoogendoorn;Dutch Patent
通讯作者：
Dutch Patent
通过具有单金属栅极的薄 BOX (SOTB) CMOS 上的本征硅实现最小的 Vth 变化
DOI：
10.1109/vlsit.2008.4588604
发表时间：
2008
期刊：
2008 Symposium on VLSI Technology
影响因子：
--
作者：
Y. Morita;R. Tsuchiya;T. Ishigaki;N. Sugii;T. Iwamatsu;T. Ipposhi;H. Oda;Y. Inoue;K. Torii;S. Kimura
通讯作者：
S. Kimura
加速软错误测试的广谱中子源的理论关联
影响因子：
1.8
作者：
C. Slayman
通讯作者：
C. Slayman